在本文中，我們將探討內(nèi)存類型ddr4和ddr5哪個更好？

一、什么是DDR5內(nèi)存？

隨著以Core i9-12900K為首的英特爾第12代酷睿CPU以及相關(guān)Z690芯片組主板的推出，DDR5成為主流PC的最新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。DDR5內(nèi)存芯片有助于提高從主機內(nèi)存控制器發(fā)送到DIMM的命令和地址信號的信號完整性。該版本的主要目標(biāo)是降低RAM的功耗，同時提高其容量和性能。

與主要由移動設(shè)備和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用推動的早期內(nèi)存技術(shù)相比，DDR5 的性能增強主要是由內(nèi)存帶寬的增加推動的。DDR5具有額外的功能，可實現(xiàn)更快的速度、更低的功耗和更可靠的數(shù)據(jù)完整性。

DDR5內(nèi)存的特點：雙倍數(shù)據(jù)速率5 (DDR5) RAM是最新的內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，提供比 DDR4 RAM 更好的性能和容量。然而，使DDR5 RAM脫穎而出的一些功能包括：

1、更高的啟動速度性能

DDR4的最高速度為3200MT/s，而DDR5的起始速度為 4800MT/s*。帶寬因此增加了50%。隨著新技術(shù)的發(fā)布，DDR5的性能預(yù)計將提升至6400MT/s。

2、降低功率/提高效率

與1.2V下的DDR4等效組件相比，DDR5在1.1V下的功耗降低了約 20%。然而，這極大地有利于24/7企業(yè)服務(wù)器，并有助于延長筆記本電腦的電池壽命。

3、電源管理IC

電源管理集成電路 (PMIC) 內(nèi)置于DDR5模塊中，有助于管理內(nèi)存模塊的各種組件（DRAM、寄存器、SPD集線器等）使用的電源。PMIC對于為服務(wù)器設(shè)計的模塊使用12V，對于PC級模塊使用5V。與前幾代產(chǎn)品相比，這可以實現(xiàn)更好的功率分配、增強的信號完整性和更低的噪聲。

4、SPD集線器

DDR5使用新器件來管理對外部控制器的訪問，將外部總線的內(nèi)存負(fù)載與外部解耦，并管理串行存在檢測(SPD) EEPROM。

5、雙32位子通道

DDR5將內(nèi)存模塊分為兩個獨立的32位可尋址子通道，以提高內(nèi)存控制器的性能并減少數(shù)據(jù)訪問延遲。DDR5模塊的數(shù)據(jù)寬度仍然是64位。

然而，將其劃分為兩個32位可尋址通道可提高整體性能。為了支持 ECC，服務(wù)器級內(nèi)存 (RDIMM) 中的每個子通道都添加了8位，每個子通道總計40位，或者每列80位，雙列模塊中的子通道為32位。

二、什么是DDR4內(nèi)存？

當(dāng)DDR3達到其極限時，人們對更高性能和帶寬的需求越來越大，因此推出了DDR SDRAM 4。與DDR3 RAM相比，DDR4提供更好的數(shù)據(jù)完整性、更低的功耗、更高的DIMM容量和更高的性能。

DDR4（DDR4低電壓）可提供高達50%的性能和帶寬提升，同時使用比 DDR3L（DDR3 低電壓）更少的功耗，并且還可降低整個計算環(huán)境的功耗。DDR4每個引腳可以實現(xiàn)超過2Gbps。與早期內(nèi)存技術(shù)相比，這是一個重大進步，可節(jié)省高達40%的電量。

DDR4提供改進的信號完整性、用于提高數(shù)據(jù)可靠性的循環(huán)冗余校驗 (CRC)、用于對鏈路上的“命令和地址”傳輸進行完整性驗證的片上奇偶校驗檢測，以及除了優(yōu)化的性能和更環(huán)保之外的其他強大的RAS 功能，低成本計算。

我們將考慮的 DDR4 RAM 的一些功能包括：

1、增加帶寬

DDR4的速度更快，起始頻率為2133MHz，對于DDR3來說已經(jīng)算是高端了。計劃中的速度提升可能會使其遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過 3200MHz。反過來，用戶使用的能源更少，可以更快地完成更多的工作。

2、降低功耗

DDR4比DDR3更節(jié)能，能耗減少高達40%。與DDR3 RAM需要1.5V運行相比，DDR4 RAM的運行電壓為1.2V。結(jié)果，系統(tǒng)的整體功耗降低了，因為運行RAM所需的功率更少。

3、容量增加

DDR4 RAM的容量是DDR3 RAM的四倍，允許用戶在使用更少的芯片的同時存儲更多的數(shù)據(jù)。這降低了功耗，并且DDR4可以實現(xiàn)容量高達512GB的單個內(nèi)存模塊，因為它支持更高密度的芯片和堆疊技術(shù)。

4、糾錯碼 (ECC)

在向內(nèi)存模塊寫入或讀取數(shù)據(jù)之前，DDR4 RAM的內(nèi)置糾錯代碼會檢測并修復(fù)數(shù)據(jù)錯誤。因此，減少并防止了由錯誤引起的數(shù)據(jù)丟失。

三、內(nèi)存類型ddr4和ddr5哪個更好？

答案DDR5內(nèi)存。因為當(dāng)流媒體、視頻會議、在線游戲、數(shù)據(jù)分析和 AI/ML應(yīng)用程序等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序激增時，DDR4就無法跟上步伐。由于商業(yè)世界將工作負(fù)載從現(xiàn)場位置轉(zhuǎn)移到云端，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心急劇增加。DDR5 RAM顯著提高了服務(wù)器性能，以應(yīng)對這些安裝困難。DDR5 RAM具有以下顯著優(yōu)勢： 

1、內(nèi)存容量增加：DDR4 RAM芯片的內(nèi)存速度和容量范圍為2 GB至16 GB，而DDR5 RAM芯片的內(nèi)存速度和容量范圍為8 GB至64 GB。

2、帶寬增加：DDR5的最低數(shù)據(jù)傳輸速度為4.8 Gb/s，帶寬比DDR4 (3.2 Gb/s) 提高了50%以上。 

3、低電壓要求：DDR4需要1.2V才能運行，而DDR5則需要1.1V。使用更少的功率可以減少產(chǎn)生的熱量，從而提高服務(wù)器性能。當(dāng)大量熱量積聚未消散時，服務(wù)器性能受到的影響最大。 

4、新的電源架構(gòu)：使用DDR5 DIMM，電源管理從主板轉(zhuǎn)移到DIMM。這些DIMM包含12V電源管理集成電路(PMIC)，可減少因工作電壓較低而導(dǎo)致的損耗幅度，并減少信號完整性和噪聲問題。

5、更新的通道架構(gòu)：DDR4 DIMM具有72位通道，其中包含64個數(shù)據(jù)位和8個ECC位。糾錯碼（ECC）是一種識別和修復(fù)內(nèi)存中數(shù)據(jù)損壞的工具。DDR5 DIMM上的兩個通道均為40位寬，由32個數(shù)據(jù)位和8個ECC位組成。這增強了存儲器訪問的效率。

6、更長的突發(fā)長度：DDR5的突發(fā)長度為8位，突發(fā)長度為16，而 DDR4的突發(fā)長度為8 ，突發(fā)長度為4。突發(fā)長度是傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量；突發(fā)斬波是指部分傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。突發(fā)長度和突發(fā)斬波都有助于提高并發(fā)性和內(nèi)存效率。